Герб МГТУ им. Н.Э. БауманаНаучно-техническая библиотека МГТУ им. Н.Э. Баумана
Калужский филиал

Подробное описание документа

   Статья в журнале

Лошкарев А. И., Онуфриев В. В.
   Зажигание обратного дугового разряда в бариевом термоэмиссионном диоде / Лошкарев А. И., Онуфриев В. В. // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2005. - № 1. - С. 72-77.

library.bmstu.ru/Catalog/Details/102691

Проведено экспериментальное исследование напряжения зажигания обратного дугового разряда в парах бария. Полученные результаты показали увеличение напряжения зажигания до 1800...2320 В при температурах анода 850...1050 K и находятся в хорошем согласии с разработанной аналитической моделью зажигания обратного дугового разряда.