Личный кабинет
Подробное описание документа
Макарчук В. В.
Проектирование топологии биполярного планарно-эпитаксиального транзистора : метод. указания к курсовому проектированию по курсу "Технологические процессы микроэлектроники" / Макарчук В. В. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2005. - 19 с. : ил. - Библиогр.
Изложена методика инженерного расчета геометрических размеров областей биполярного n - p - n-транзистора, изготовляемого по типовой планарно-эпитаксиальной технологии с одним скрытым слоем, с учетом заданных топологических проектных норм и величин технологического растрава и допуска на совмещение фотошаблона при контактной фотолитографии.
Для студентов 5-го курса специальности "Проектирование и технология производства электронно-вычислительных средств".
