Личный кабинет
Подробное описание документа
Электрооптические характеристики светоизлучающего диода с периодически структурированным контактом / Барабаненков М. Ю., Ковальчук А. В., Полушкин Е. А., Сироткин В. В., Холопова Ю. В., Шаповал С. Ю. // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2009. - № 2. -
Приведены результаты измерений электрических и оптических характеристик для InGaN/AlGaN/GaN/Al2O3 светодиода с периодически структурированным p-контактом. Показано, что применение такого контакта увеличивает КПД светодиода как минимум на 8%, позволяет получить плоский фронт и изменять значение критического угла для выводимого излучения за счeт приложенного к электроду-решетке напряжения. Показано, что применение дифракционной решетки в качестве p-контакта изменяет вольт-фарадную характеристику и значительно уменьшает значение высокочастотной емкости.
