Личный кабинет
Подробное описание документа
Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах : [монография] / РАН. СО, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова, Институт неорганической химии им. А. В. Николаева, Институт катализа им. Г. К. Борескова, Институт автоматики и электрометрии, Институт геологии и минералогии им. В. С. Соболева. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2011. - 157 с. : ил. - (Интеграционные проекты СО РАН ; вып. 31). - Библиогр.
Монография посвящена синтезу, атомной, электронной структуре, механизмам переноса заряда и применению диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостъю в кремниевых приборах флэш-памяти. Рассматриваются наиболее важные и перспективные диэлектрики АI2Оз, НfO2, Ta2O5, ZrO2, TiO2, твердые растворы (НfO2) x(АI2ОЗ)1-х. Анализируется также электронная структура трех традиционных ключевых диэлектриков в кремниевых приборах: оксида SiО2, оксинитрида SiOxNy и нитрида SiзN4 кремния. Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся физикой твердого тела и микроэлектроникой.
