Личный кабинет
Подробное описание документа
Коваленко С. М.
Тенденции развития средств вычислительной техники и проблемы электронного конструирования / Коваленко С. М., Платонова О. В., Микитин В. М. - DOI 10.18698/0536-1044-2015-12-85-91 // Известия ВУЗов. Сер. "Машиностроение". - 2015. - № 12. -
Рассмотрена взаимосвязь уровня полупроводниковой технологии элементов (характеризующегося длиной канала транзистора) и параметров кристалла (размера и степени интеграции) в широком диапазоне значений. В основу рассмотрения положено такое понятие, как базовый фактор разрешающей способности литографии, сохраняющий свое постоянное значение на каждом этапе развития технологии. Предложены математические модели, описывающие взаимосвязи размера кристалла, степени его интеграции и уровня технологии и позволяющие учесть тип, топологические нормы и начальные длины каналов транзисторов. Приведена уточненная характеристика развития поколений средств вычислительной техники с учетом уровня технологии и степени интеграции элементов.
