Подробное описание документа
Диссертация
Москалев Д. О.
Исследование и разработка технологии формирования джозефсоновских переходов для криогенных параметрических усилителей : 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Москалев Д. О. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2022. - 134 л. : ил. - Библиогр.:
