Герб МГТУ им. Н.Э. БауманаНаучно-техническая библиотека МГТУ им. Н.Э. Баумана
Калужский филиал

Подробное описание документа

   Аналитическое описание

Пузиков К. А., Адарчин С. А.
   Исследование влияния выходного каскада на работу интегральной микросхемы — компаратор напряжений / Пузиков К. А., Адарчин С. А. // Наукоёмкие технологии в приборо- и машиностроении и развитие инновационной деятельности в вузе : материалы Региональной научно-технической конференции, Калуга, 15-17 апреля 2025 года : в 2 т. / МГТУ им. Н. Э. Баумана. - 2026. - Т. 1. - С. 197-201.

library.bmstu.ru/Catalog/Details/598246

Необходимость исследования выходного каскада встала на производстве после того, как результаты измерений изготовленных схем не удовлетворяли параметрам, указанным в техническом задании на проектирование. В частности, критическим параметром были напряжение низкого уровня U0L и время задержки выключения tDHL. Данные параметры являются взаимосвязанными и принципиально зависят от параметров выходного транзистора VT45. Эти два параметра связаны временем рассасывания объемного заряда транзистора при переходе из режима насыщения в режим отсечки. Вследствие чего, было принято решение провести исследование влияния выходного каскада на работу схемы, а также подобрать такое схемотехническое решение, которое удовлетворяло бы заданным требованиям. С целью сохранения финансовых средств, времени, людских затрат было проведено моделирование микросхемы компаратора в программе EWB Multisim 8.
Ключевые слова: выходной каскад, параметры схемы, выходной транзистор, время рассасывания объемного заряда, моделирование, исследование, улучшение