Личный кабинет
Подробное описание документа
Распределение неосновных носителей заряда после их диффузии от тонкого планарного источника в полубесконечном полупроводниковом материале с дефектами на поверхности / Калманович В. В., Степович М. А., Серегина Е. В., Горбунов А. К. - DOI 10.18698/2308-6033-2015-1-1349 // Инженерный журнал: наука и инновации. - 2015. - № 1. -
Методами математического моделирования рассмотрена задача диффузии неосновных носителей заряда (ННЗ), генерированных в полупроводнике широким электронным пучком. Изучено влияние дефектов на поверхности полупроводника на распределение ННЗ после их диффузии от тонкого планарного источника в полубесконечном полупроводнике [1]. Расчеты проведены для различных материалов полупроводниковой электроники.
