Личный кабинет
Подробное описание документа
Стрельченко С. С.
Особенности получения слаболегированных слоев алюминия-галлия арсенида для фотоприемных устройств / Стрельченко С. С., Шумакин Н. И. - DOI 10.18698/2308-6033-2017-6-1628 // Инженерный журнал: наука и инновации. - 2017. - № 6. -
Слаболегированные слои алюминия-галлия арсенида позволяют создавать эпитаксиальные структуры для высокоэффективных фотоприемников, фотопреобразователей солнечной энергии, измерительных преобразователей температуры, ионизирующих излучений. В статье рассмотрена возможность получения слаболегированного слоя алюминия-галлия арсенида методом жидкофазной эпитаксии путем легирования раствора-расплава редкоземельными элементами и их аналогами, позволяющими уменьшить концентрацию носителей заряда. Описаны преимущества применения для легирования растворов-расплавов иттербия вместо скандия. Рассмотрены возможные механизмы легирования.
