Личный кабинет
Подробное описание документа
Анциферов Д. А.
Исследование зависимости электрической мощности высоковольтного плазменного термоэмиссионного диода от теплофизических параметров итипа рабочего тела / Анциферов Д. А., Онуфриев В. В., Онуфриева Е. В. - DOI 10.18698/2308-6033-2022-9-2210 // Инженерный журнал: наука и инновации. - 2022. - № 9. -
Разработка высокотемпературных систем преобразования тока на основе приборов плазменной электроэнергетики, таких, например, как сеточные ключевые элементы и высоковольтные плазменные термоэмиссионные диоды (ВПТД) является актуальной в связи с разработкой мощных ядерных энергодвигательных установок космических аппаратов. Представлены результаты исследований зависимости удельной электрической мощности ВПТД от теплофизических параметров наполнителя межэлектродного зазора — его температуры и давления. Показана зависимость мощности ВПТД от материалов, применяемых для изготовления электродов. Приведены зависимости удельной электрической мощности ВПТД как функции температуры (анода и эмиттера) и давления паров цезия и бинарной смеси. Показана целесообразность применения бинарного наполнения ВПТД с вольфрамовым эмиттером для увеличения его удельной электрической мощности.
