Личный кабинет
Подробное описание документа
Шумакин Н. И.
Проблемы получения слаболегированных эпитаксиальных слоев AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии / Шумакин Н. И. - DOI 10.18698/2541-8009-2019-2-445 // Политехнический молодежный журнал МГТУ им. Н. Э. Баумана. - 2019. - № 2. -
Слаболегированные слои AlGaAs позволяют создавать эпитаксиальные структуры для высокоэффективных приборов различного назначения, которые обладают специальными свойствами. При формировании слаболегированных слоев в тех или иных приложениях возникает ряд проблем с получением низкой концентрации собственных носителей в таких слоях. Одной из основных проблем при формировании таких слоев является присутствие фоновой примеси в исходных компонентах. В статье рассмотрена возможность получения слаболегированного слоя AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии путем легирования раствора-расплава редкоземельными элементами и методом компенсации носителей заряда. Описаны преимущества применения каждого из методов для определенного типа приборов.
