Личный кабинет
Подробное описание документа
Андронов О. Д.
Применение SiC-транзисторов в силовой электронике / Андронов О. Д., Глинская Е. В. // Политехнический молодежный журнал МГТУ им. Н. Э. Баумана. - 2026. - № 3. -
Исследованы перспективы применения карбид-кремниевых (SiC) полевых транзисторов в силовых преобразовательных устройствах. Рассмотрены физические основы и ключевые преимущества полупроводниковых приборов на основе широкозонных материалов (Wide Band Gap), такие как высокое критическое поле пробоя, повышенная теплопроводность и возможность работы при температуре 200 °C и выше. Проведен сравнительный анализ статических и динамических характеристик силовых ключей на основе транзисторов SiC-MOSFET с традиционными кремниевыми силовыми ключами IGBT и MOSFET. Подробно описаны практические аспекты применения SiC-транзисторов в импульсных источниках питания, инверторах и системах тягового электропривода. Показано, что использование SiC-технологии позволяет существенно повысить КПД преобразователей, уменьшить массогабаритные показатели систем и расширить частотный диапазон работы. Особое внимание уделено вопросам управления SiC-приборами, влиянию паразитных индуктивностей на динамические процессы и методам защиты от перенапряжений. Продемонстрировано, что переход на SiC-транзисторы является ключевым направлением развития энергоэффективной силовой электроники.
