Герб МГТУ им. Н.Э. БауманаНаучно-техническая библиотека МГТУ им. Н.Э. Баумана
Калужский филиал

Подробное описание документа

   Материал конференции

Акатьев И. Д., Яшин М. С., Онуфриев В. В.
   Исследование режима неэлектрического управления ионным слоем высоковольтного термоэмиссионного диода / Акатьев И. Д., Яшин М. С., Онуфриев В. В. // L Академические чтения по космонавтике, посвященные памяти академика С. П. Королёва и других выдающихся отечественных ученых — пионеров освоения космического пространства. Том 1. - М., 2026. - С. 235-236.

library.bmstu.ru/Catalog/Details/609081

Проведено расчетное исследование режима неэлектрического управления ионным слоем высоковольтного термоэмиссионного диода. Рассматриваемый режим управления ионным слоем заключается в увеличении начальной температуры и концентрации частиц области возбужденных атомов вследствие внесения в нее порции «горячих» атомов, десорбированных с поверхности источника при импульсной подаче энергии на него. Расчетным путем определена зависимость снижения напряжения зажигания обратного дугового разряда в зависимости от вносимой в ионный слой тепловой энергии. Представлены результаты расчетного исследования режима неэлектрического управления ионным слоем в сравнении с результатами экспериментов.