Личный кабинет
Подробное описание документа
И. А. Иванов
Гетероструктуры (Ca, Mg) F2 на кремнии для создания элементной базы двумерной наноэлектроники : студенческая научная работа / И. А. Иванов ; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций, Высшая инженерно-физическая школа. - Санкт-Петербург : б. и., 2022. -
Данная работа посвящена выращиванию методом МЛЭ тонких слоев твердого раствора MgxCa1-xF2 толщиной 12 нм с параметром смешивания x = 0, 0.05, 0.10, 0.15 на подложках Si(111) и исследованию их кристаллической структуры и топографии методами 3D ДБЭ и АСМ. Также был рассмотрен потенциал использования CaF2 совместно с MgF2 в двумерной наноэлектринике.
