Личный кабинет
Подробное описание документа
А. А. Иванов
Влияние беспорядка на оптические свойства резонансных брэгговских структур с квантовыми ямами InGaN/GaN : студенческая научная работа / А. А. Иванов ; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Физико-механический институт, Высшая школа фундаментальных физических исследований. - Санкт-Петербург : б. и., 2022. -
Данная работа посвящена исследованию оптических свойств образца со 100 квантовыми ямами InGaN, разделенными туннельно-непрозрачными барьерами GaN. Эта система материалов представляется наиболее перспективной для реализации концепции в устройствах, например, в виде электрически или оптически перестраиваемых брэгговских отражателей. Спектры оптического отражения и пропускания исследовались при разных углах падения для различной поляризации падающего света при комнатной температуре. Верифицирована модель, позволяющая описать экспериментальные данные и определить параметры экситонов в квантовых ямах. Исследована вызванная беспорядком деградация резонансного оптического отражения от почти периодической системы квазидвумерных экситонов в квантовых ямах InGaN, организованных по типу резонансной брэгговской структуры. Показано, что существует критическое отклонение от точной периодичности, когда отражение от одиночной сверхизлучающей экситон-поляритонной моды трансформируется в многомодовый спектр. Этот критический беспорядок оказывается обратно пропорциональным числу периодов резонансной брэгговской структуры. Используя экспериментально проверенную численную модель, мы обнаружили, что критическое стандартное отклонение от точной периодичности составляет 1.76 %, 1.0 % и 0.45 % для резонансной брэгговской структуры на основе квантовых ям InGaN с 60, 100 и 200 периодами соответственно.
